化學氣相沉積是一種製備材料的氣相生長方法，它是把一（yī）種或（huò）幾種含有構成薄膜元素的化合物、單（dān）質氣體通入放置有基材的反應室，借助空間氣相（xiàng）化學（xué）反應在基體表麵上沉積固態薄膜的工藝（yì）技術。化學氣相沉積(Chemical vapor deposition，簡稱CVD)是反應物（wù）質（zhì）在氣態條件下（xià）發生化學反（fǎn）應，生成固態物質沉積在加熱的固態基體表麵，進而製得固體（tǐ）材（cái）料的工藝技術。它本質上屬於原子範疇的氣態傳質過程。與之相對的是物理氣相沉積（PVD）。