電子在電場的作用下加速飛向基片的過程（chéng）中與氬原（yuán）子發（fā）生（shēng）碰撞,電離出大量的氬離（lí）子和電（diàn）子,電子飛向基片.氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材（cái）,濺射出大量的靶材原子（zǐ）,呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成（chéng）膜.二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛侖磁力的影（yǐng）響,被束縛在*近靶（bǎ）麵的等離子體區域內,該區域內等離子體密度很高,二次電子在磁（cí）場的作用下（xià）圍繞靶麵作圓周運動,該電（diàn）子的運動（dòng）路徑很長,在運動（dòng）過程中不斷（duàn）的與氬原子發生碰撞電離出大量（liàng）的氬離子轟擊靶材,經過多次碰撞後電子的能量逐漸（jiàn）降低,擺脫磁力線的束縛,遠離靶材,最終沉積（jī）在基片上.

        磁控濺射就（jiù）是以磁場束縛和延長電子的運動路徑,改變電子的運動方向（xiàng）,提高工作氣體的電離率和有效利用電子的（de）能量.

       電子的歸宿不僅僅（jǐn）是基片,真空室內壁及靶源陽極也是電子歸宿.但一般基片與真空室及陽極在同一電勢.磁場與電場的交互作用（E X B shift）使單個電子軌跡呈三維螺旋狀,而不是（shì）僅僅（jǐn）在靶麵圓周（zhōu）運動.至於靶麵圓周型（xíng）的濺射輪廓,那是靶源磁場磁力線呈圓周形狀形狀.磁力線分布方向不（bú）同會對成膜有很大關係.

       在E X B shift機理下工作的不光磁控濺射,多弧鍍靶源,離子源,等離子源等都在次原理下工作.所（suǒ）不同的是電場方向,電壓電（diàn）流大小而已.