偏壓（Bias)是（shì）指在鍍膜過程中（zhōng）施加在基體上的負電壓。偏壓電（diàn）源的正極（jí）接到真空室上，同時真空室接地（dì），偏壓的負極接到（dào）工件上（shàng）。由（yóu）於大地的電壓一般認為是零電（diàn）位（wèi），所以工件上的電壓習（xí）慣（guàn）說負偏壓，簡稱偏（piān）壓。

負偏（piān）壓的作用
提供粒子（zǐ）能量（liàng）；
對於基片的加熱效（xiào）應；
清除基片上吸附的氣體和油（yóu）汙等，有（yǒu）利於提高膜層結合強度；
活化基體表麵；
對電弧（hú）離子鍍（Arc Ion Plating)中（zhōng）的（de）大顆（kē）粒有淨化作用；

偏壓（yā）的分類
根據波形可分（fèn）為：
直流偏壓
直流脈衝偏壓（yā）
直流疊加脈衝偏壓（yā）
雙極性脈衝偏壓

直流偏（piān）壓和脈衝偏壓的比較

傳統的電（diàn）弧離子鍍是在基片台上施加直（zhí）流負偏壓控製離子轟擊（jī）能量, 這種沉積工藝存在以下缺點:
        基體溫升高, 不利於在回火溫（wēn）度低的（de）基體上（shàng）沉積硬質膜。
        高能（néng）離子轟擊造成嚴重的濺射, 不能簡單通過提高離子轟擊能量合成高反應閾能的硬質薄膜。
直流（liú）偏壓電弧離子鍍工藝中,為了抑（yì）製因離子對（duì）基體表麵連續轟（hōng）擊（jī）而導（dǎo）致的基（jī）體溫（wēn）度過高,主要采取減（jiǎn）少沉積功率、縮短沉積時間（jiān）、采用間歇沉積方式等措施來降低沉積溫度，這些措施（shī）可（kě）以概括地稱為（wéi）能量控製法'這種方（fāng）法雖然（rán）可以降低沉積溫度,但也使薄膜的某些性能下降,同時還降低了生產效率和（hé）薄膜質量的穩定性，因（yīn）此,難以推（tuī）廣應（yīng）用（yòng）。
脈衝偏壓電弧離子（zǐ）鍍工藝中,由於離子是以非連續的脈衝方式轟擊基體（tǐ）表麵,所以通過調節脈衝偏壓的占空比,可改變基體內部（bù）與表麵之間的溫度梯度,進而改變基體內部與表麵之間熱的均衡補償效果,達到調控沉積溫度的目的。這樣就可以把（bǎ）施加偏壓的脈衝高度與工件溫度獨立分開（kāi）(互不影響或影（yǐng）響很小)調節,利用（yòng）高壓脈衝來獲得高能離子（zǐ）的轟擊效應以改善薄膜的組織和性能,通過降低占空（kōng）比來減小離子轟擊（jī）的總加熱效應以降低沉積溫度。

偏壓（yā）對（duì）膜層的影響（xiǎng）

偏壓對膜層的影響機製是很複雜的（de），下麵列出了一些主要影響，可以根據（jù）自己的使用工（gōng）藝，觀察總結，就可以很快（kuài）摸清偏壓對膜層（céng）的影響規律。
        膜層結構、結晶構造取向、組織結構
        沉積速率
        大顆粒淨化
        膜層硬（yìng）度
        膜層致密度
        表麵形貌（mào）
        內應力（lì）

下（xià）一個：真空（kōng）鍍膜機適用範圍真空鍍膜機用戶設置具體設置