用來進行介質膜的濺射（shè），如（rú）在玻璃上鍍ITO膜之前需鍍上一層SiO2擴散隔（gé）離層，該SiO2膜就是采用射頻濺射。
通常在濺射過程中輝光放電中的離（lí）子撞擊到陰極時，會與陰極的電子中和，是的濺射現（xiàn）象可以繼續進行（háng）。
但若靶材本身不導電的話（huà），離子撞擊到靶材上沒有（yǒu）電子中和，
正電荷一直累積，使與後來的離子排斥，這會造成取代直流電源，使可（kě）解決此離子撞擊現象的停（tíng）頓。
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